結構性缺貨重塑記憶體產業戰

ＡＩ伺服器推升HBM與高容量DRAM需求，國際記憶體廠雖加速擴產，但產能仍落後需求。南亞科受惠DRAM報價大幅上升；華邦電則憑藉利基型承接商機。

文●呂泰德

大型語言模型正由集中訓練走向大規模推論，資料中心擴充的已不只是ＧＰＵ或其他ＡＩ加速器，而是涵蓋HBM、伺服器DDR5、低功耗記憶體與企業級ＳＳＤ的完整記憶體及儲存架構。貼近運算核心的ＨＢＭ負責高速傳送模型資料，DDR5與SOCAMM等低功耗記憶體支撐ＣＰＵ端的系統運作、資料前處理，企業級ＳＳＤ則承接模型權重、資料集、向量資料庫與持久化KVCache等容量需求。美光於近期指出，單台伺服器的記憶體容量在過去三年間增加一倍，隨著ＡＩ推論複雜度，系統效能愈來愈受到記憶體頻寬與容量影響，不再僅由運算晶片效能決定。


▲AI推論帶動記憶體升級，DDR5與企業級SSD擴容，台廠迎來報價與利基成長。達志
ＡＩ效應拉長供給缺口

三星電子（005930.KS）於二○二六年二月宣布HBM4進入量產並展開商業出貨，採用第六代十奈米級1cDRAM及四奈米邏輯基礎裸晶，五月再向主要客戶提供十二層HBM4E樣品；美光則推進針對Nvidia Vera Rubin平台設計的36GB、十二層HBM4，單一堆疊頻寬超過每秒二．八ＴＢ，並同步布局SOCAMM2及PCIeGen6資料中心ＳＳＤ。三星、ＳＫ海力士與美光在HBM4世代的競爭，已由過去著重單顆DRAM成本，升級為先進製程、堆疊技術、邏輯基礎裸晶、封裝、功耗、散熱與客戶認證能力的全面競賽。

更重要的是，HBM、高容量伺服器DDR5及低功耗伺服器記憶體，均會競逐先進DRAM晶圓、EUV設備、研發人力、測試與後段封裝資源。當記憶體大廠優先將先進DRAM產能配置於HBM及高容量伺服器產品時，不僅高階記憶體供應維持緊張，也可能限制部分標準型或成熟規格DRAM的供給增幅。企業級ＳＳＤ雖然主要使用NAND Flash，並不直接占用相同的DRAM晶圓，但同樣會競逐資本支出、先進控制器、研發及資料中心客戶資源。美光（MU.US）二六年第三季營收達四一四．六億美元，高於前一季的二三八．六億美元，並預估下一季非GAAP毛利率約八六％，反映ＡＩ需求、供給受限與高附加價值產品組合正大幅提高記憶體的獲利能力。